rss
twitter
Календарь новостей
«    Ноябрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
 

В Томске изобрели «медно-германиевый» транзистор

В Томске изобрели «медно-германиевый» транзистор
Источник: vrtp.ru
В производстве интегральных схем на основе арсенида галлия часто используются такие металлы, как золото, платина и палладий. Их стоимость довольно высока, поэтому и цена готовых продуктов тоже остается высокой. В принципе, драгоценные металлы можно заменить более дешевым аналогом — медью. По техническим параметрам электронные устройства с медной металлизацией почти не уступают «золотым» и «платиновым» элементам. Единственное препятствие, которое тормозит использование меди в электронике — снижение надежности интегральных схем и транзисторов. Специалисты из Томского университета систем управления и радиоэлектроники нашли способ повышения надежности «медных» компонентов.

Ученые разработали оригинальный метод получения сплава меди и германия. Затем они сконструировали и собрали опытный образец транзистора, в котором в качестве металлического компонента используется медно-германиевый сплав. Заявка на данное изобретение была подана руководителем проекта, аспирантом ТУСУРа Евгением Ерофеевым, в прошлом году. В течение 2011 года ученые испытывали «медно-германиевый» транзистор. Оказалось, что надежность элемента в разы выше, чем при металлизации чистой медью. В будущем году изобретатели планируют создать на основе разработки технологию производства монолитных интегральных схем и обратиться с заявкой на патент в США. После этого будет организован выпуск микросхем на базе научно-производственной фирмы «Микран».
Подготовлено по материалам (источник): westsib.ru
Дата: 18 ноября 2011
Другие новости, которые читают вместе с этой:
Ссылки спонсоров
ЦВТ «Инноком» | О проекте
+7 (3952) 755-265 | info@innocom.ru
Rambler's Top100
Рейтинг@Mail.ru
Яндекс.Метрика