rss
twitter
Календарь новостей
«    Декабрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31

Создан гибкий мемристор

Создан гибкий мемристор
Источник: computerra.ru
Исследователи из Национального института стандартов и технологий (США) разработали простую технологию формирования элементов памяти на основе достаточно дешевого материала — диоксида титана TiO2.

Ученые отказались от традиционных ресурсоемких способов получения тонких пленок двуокиси титана и попытались создать такую пленку на полимерной подложке методом золь-гель (эта технология предусматривает осаждение вещества из коллоидного раствора при его раскручивании под действием центробежной силы). Добавив электрические контакты, исследователи получили гибкий элемент, который функционирует при напряжении около 10 В, сохраняет работоспособность после четырех тысяч циклов изгиба и «запоминает» свое состояние на время выключения питания.

По своим свойствам элемент соответствует мемристору — двухполюснику, сопротивление которого изменяется в зависимости от общей величины проходящего через него заряда. Первый мемристор, напомним, был создан в прошлом году специалистами исследовательской лаборатории компании HP (см. сообщение «КЛ» и оригинал статьи, опубликованной в журнале Nature).

Разработчики гибкого мемристора уже подали заявку на получение патента; в настоящий момент они приступают к тщательному анализу характеристик элемента. «Активная составляющая нашего элемента изготавливается на основе жидкости, и в будущем мы надеемся научиться создавать запоминающие устройства так же легко, как сейчас наносим изображение на прозрачные пленки, используемые в проекционных аппаратах», — заключает участница исследования Надин Гергел-Хэкетт (Nadine Gergel-Hackett).
Подготовлено по материалам (источник): computerra.ru
Дата: 4 июня 2009
Другие новости, которые читают вместе с этой:
Ссылки спонсоров
ЦВТ «Инноком» | О проекте
+7 (3952) 755-265 | info@innocom.ru
Rambler's Top100
Рейтинг@Mail.ru
Яндекс.Метрика