rss
twitter
Календарь новостей
«    Декабрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31

Новый материал на основе графена для электроники

Новый материал на основе графена для электроники
Источник: phys.org
Ученые из Национальной ускорительной лаборатории в Стэнфорде (SLAC) и Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли (LBNL, США) представили новый экзотический материал. Он состоит из одноатомной тонкой пленки MoSe2 (на рисунке — зеленые и желтые шарики), находящейся на слое графена (черные шарики). Графен, в свою очередь, расположен на подложке из карбида кремния. Исследователи уверены, что новый материал перспективен для создания тонких, гибких и легких электронных устройств. Однослойные листы диселенида молибдена давно интересовали многих ученых, так как они относятся к небольшой группе материалов, поглощающих и излучающих свет с высокой эффективностью.

Но до сих пор никому не удавалось создавать такие листы в значительных количествах и непосредственно наблюдать эволюцию их электронной структуры. Это важно, поскольку поведение электронов материала может коренным образом меняться, когда они ограничены таким тонким слоем. Как отмечает ведущий ученый LBNL Сун-Кван Мо, ему и его коллегам удалось найти правильный рецепт для изготовления тонких листов MoSe2. Ученые нагревали молибден и селен в вакуумной камере до выпаривания. Два элемента объединялись и осаждались в виде тонкой высококачественной пленки. Используя процесс, известный как молекулярно — лучевая эпитаксия, исследователи смогли вырастить пленки толщиной от 1 до 8 атомных слоев. Анализ электронной структуры пленок при помощи мощного пучка рентгеновского излучения в SLAC и LBNL показал, что материал в таком виде резко меняет свои свойства и становится более эффективным поглотителем и излучателем света.

Как отмечает докторант Йи Чжан, спроектировавший и построивший оборудование для получения тонких листов MoSe2, материал имеет потенциал для использования в новых типах электронных устройств, которые еще предстоит создать. В частности, тесты, проведенные доктором Ёнгтао Цуем, показали, что электроны с разными спинами (направлениями вращения) путешествуют через гексагональные структуры однослойной пленки по различным путям и в противоположных направлениях. Это может оказаться полезным для спинтроники — новой отрасли электроники, в которой для переноса и хранения информации используется не заряд, а спины электронов. Тонкопленочный MoSe2 может пригодиться и в еще более фантастической концепции под названием велтроника, в которой в равной степени учитываются и заряд, и спин электронов.
Подготовлено по материалам (источник): phys.org
Дата: 13 января 2014
Другие новости, которые читают вместе с этой:
Ссылки спонсоров
ЦВТ «Инноком» | О проекте
+7 (3952) 755-265 | info@innocom.ru
Rambler's Top100
Рейтинг@Mail.ru
Яндекс.Метрика